懷化學(xué)院2024年專升本《模擬電子技術(shù)》考試大綱

瀏覽次數(shù):次 發(fā)布時間:2023-11-17

  《模擬電子技術(shù)》考試大綱

  第一部分 考試說明

  一、考試性質(zhì)

  《模擬電子技術(shù)》是我校電氣信息類專業(yè)專升本入學(xué)必考的專業(yè)基礎(chǔ)課之一。考核的標(biāo)準(zhǔn)是掌握模擬電子技術(shù)方面的基本理論、基本知識和基本技能,具備分析和解決實際問題的能力。

  二、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)

  (一)答卷方式:閉卷,筆試

  (二)答題時間:120分鐘

  (三)題型:填空題(20分)、選擇題(20分)

  簡答題(12分)、分析題(24分)

  設(shè)計題(24分)

  (四)教材選用:

  華成英《模擬電子技術(shù)基本教程》 清華大學(xué)出版

  image.png

  第二部分 考試要點

  1.集成運放及基本應(yīng)用(25%)

  考核知識點:放大電路的主要性能指標(biāo),集成運算電路的特點,理想運放組成的基本運算電路,電壓比較器。

  重點:基本運算電路的分析計算及設(shè)計。

  2.半導(dǎo)體二極管及應(yīng)用電路(10%)

  考核知識點: 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識、半導(dǎo)體二極管的工作原理及特性,二極管應(yīng)用電路,穩(wěn)壓二極管及其應(yīng)用電路。

  重點: 二極管應(yīng)用電路分析。

  3.晶體三極管及其應(yīng)用電路(25%)

  考核知識點: 晶體三極管的工作原理及特性、放大電路的組成及基本分析方法、放大電路的三種組態(tài)。

  重點: 三極管類型及工作狀態(tài)的判斷,基本放大電路的靜態(tài)及動態(tài)指標(biāo)的計算。

  4.場效應(yīng)管及其應(yīng)用電路(5%)

  考核知識點: 場效應(yīng)管的類型,場效應(yīng)管放大電路的分析。

  重點: 場效應(yīng)管放大電路的分析。

  5. 集成運算放大電路(10%)

  考核知識點: 多級放大電路、差分放大電路、功率放大電路、電流源電路。

  重點: 差分放大電路的特點及分析,功率放大電路的幾種類型。

  6. 放大電路的反饋(15%)

  考核知識點: 反饋的類型及判斷,負(fù)反饋對放大電路性能的影響,深度負(fù)反饋電路放大倍數(shù)的計算。

  重點: 會判斷反饋,會引反饋,會計算反饋電路。

  7. 運算應(yīng)用電路(5%)

  考核知識點: 濾波器的幾種類型,濾波器參數(shù)的計算;正弦波振蕩電路的工作原理。

  重點: 會根據(jù)頻率要求選擇合適的濾波電路;正弦波振蕩電路的起振條件及組成。

  8. 直流電源(5%)

  考核知識點:直流電源的組成、整流電路、濾波電路、穩(wěn)壓電路。

  重點:橋式整流電路的工作原理及參數(shù)計算。

  懷化學(xué)院

  2023年10月

  第三部分 題型舉例

  一、填空題(每空2分,共20分)

  1、N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是 ,P型半導(dǎo)體多數(shù)載流子是 。

  2、晶體管工作在放大區(qū)時,b-e間為 ,b-c間為 。(正偏、反偏或零偏)

  3、······

  二、選擇題(每小題2分,共20分)

  1、為了獲得電壓放大,同時又使得輸出與輸入電壓反相,則應(yīng)選用( )放大電路。

  A、 共發(fā)射極 B、 共集電極 C、 共基極 D、 共漏極

  2、······

  三、簡答題(共12分)

  1、測得放大電路中三只晶體管的各極電位如圖題3.1(a)和(b)所示。試識別它們的管腳,分別標(biāo)上e、b、c,并判斷這兩個三極管是NPN型還是PNP型,硅管還是鍺管。

  

圖片1.png    

  圖 題3.1

  2、······

  四、計算題(共24分)

  1、電路如圖題4.1所示,VCC=12V,Rb=300kΩ,Rc=3kΩ,RL=3kΩ,BJT的β=50。

  (1)求靜態(tài)工作點;(2)畫出放大電路的微變等效電路;(3)求懷化學(xué)院2024年專升本《模擬電子技術(shù)》考試大綱(圖3)、Ri和和Ro。

  

圖片2.png


  圖 題4.1

  2、······

  五、設(shè)計題(共24分)

  1、試用理想集成運放實現(xiàn)一個電壓放大倍數(shù)為100、輸入電阻趨于無窮大的運算電路。要求所采用電阻的最大阻值為200kΩ。

  2、······



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